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元件参数资料
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参数目录39809
> FDFM2N111 MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
型号:
FDFM2N111
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDFM2N111 PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
3,000
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫欧 @ 4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
3.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
273pF @ 10V
功率 - 最大
800mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-MLP,Power33
供应商设备封装
MicroFET 3x3mm
包装
带卷 (TR)
查看FDFM2N111代理商
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