| 型号： | FDFM2N111 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| FDFM2N111 PDF |  |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | PowerTrench® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 273pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装 | MicroFET 3x3mm |
| 包装 | 带卷 (TR) |